行业

赵杰华，苏鹏，丁敏，Sheila Chopin, Paul S. Ho

建立了考虑β-Sn的弹性各向异性、热膨胀各向异性和塑性的三维有限元模型。Voronoi图用于生成Cu引线架上Sn涂层晶粒的几何图案。利用样品的x射线衍射(XRD)测量数据确定了模型中Sn晶粒的晶体取向。将该模型应用于镀锡封装引线的热循环试验。计算了每个晶粒的应变能密度(SED)。结果表明，计算SED值越高的试样，Sn晶须越长，晶须密度越高。有限元模型结合XRD测量结果可以作为锡晶须倾向的有效指标。这可能会大大加快资格认证过程。

电子有源器件是建立在应变绝缘体上硅(sSOI)上的，例如氧化硅上的应变硅层，而氧化硅层又被键合在块状硅片上。由于应变硅层中不再存在错配位错，在以后的加工和操作中是否会产生错配位错?如果在应变的硅层中仍然有很多位错，它们是从哪里来的?是否有任何实验工作来发现位错成核的位置?我猜它们会在gate-sSOI-cap的三结处成核，因为在三结处应力是奇异的。但我不确定。所以我想知道一些关于实验观察的事情。

有关工业机械的职位可能会引起相当大的兴趣。观众将是在工业中工作的机械师，规划工业职业万博体育平台的学生，以及寻求工业合作的学者。