SOI

电子有源器件是建立在应变绝缘体上硅(sSOI)上的，例如氧化硅上的应变硅层，而氧化硅层又被键合在块状硅片上。由于应变硅层中不再存在错配位错，在以后的加工和操作中是否会产生错配位错?如果在应变的硅层中仍然有很多位错，它们是从哪里来的?是否有任何实验工作来发现位错成核的位置?我猜它们会在gate-sSOI-cap的三结处成核，因为在三结处应力是奇异的。但我不确定。所以我想知道一些关于实验观察的事情。