亚临界裂纹

摘要

随着超大规模集成电路的规模化，引入了具有孔隙度的超低k介电体来减少电容耦合。但由于结合强度较弱，低k介电材料可能会因环境辅助的亚临界开裂而失效，在远低于灾难性失效所需载荷的应力下断裂，从而导致可靠性问题。本文对多尺度下亚临界开裂机理的研究进行了综述。