德克萨斯大学奥斯汀分校

由爱思唯尔和新泽西理工大学颗粒科学实验室赞助

有关本讲座的更多信息，并访问视频，请访问http://www.journals.elsevier.com/mechanics-research-communications/journal-news/distinguished-lecture-sponsored-by-elsevier/

文摘:

有限元法在裂缝问题上的早期应用
由Swedlow等人开发。即使他们可以变得合理
准确度约为5 ~ 10%，后来的研究表明溶液在
无论如何，不能保证裂纹尖端的邻近是准确的
尖端周围的网格密度。为了克服这个问题，
人们开发了特殊的裂纹尖端元件。

在这篇学期论文中，我将介绍1)有限元方法
断裂力学和2)新的有限元技术，称为扩展单元法。

老年人最常见的问题之一是骨骼脆弱。人体骨骼容易骨折，某些骨骼如皮质骨的骨折可能是致命的。了解骨头的骨折机制对医学专业来说是必不可少的，在研究骨质疏松症方面也起着重要作用。

文摘:

摘要

随着超大规模集成电路(VLSI)规模的扩大，引入了具有孔隙率的超低k介质以减小电容耦合。但由于粘结强度较弱，低k介质可能会因环境辅助亚临界开裂而失效，即在远低于灾难性失效所需负载的应力下断裂，从而导致可靠性问题。在本学期论文中，回顾了几篇文献，探讨了亚临界开裂的多尺度机制。

双悬臂梁(DCB)
标本是通过使用双层薄膜将两个半部分粘在一起而创建的
PC-3前列腺癌细胞。样品被钉在底部的角落，和
同端上角随力-位移剖面位移
被记录下来。这上角是位移直到裂缝的一部分
细胞生长的标本被选择性地抑制，开始繁殖
穿过细胞层。开裂时的力的临界值
通过细胞层进行传播使用，与初始化结合
裂纹长度，通过柔度-能量法确定韧性(Ripling, et al. 1971)。进行有限元分析的方法

采用cu基深亚微米双大马士革技术研究了应力致空洞(SIV)。透射电镜分析揭示了两种失效模式。对于一种模式，当通孔连接下面的宽金属引线时，在通孔下面形成空隙。对于在宽金属线之下的通道口，在通道口底部的正上方形成了空隙。空隙源是由于铜在电镀后和受到介质约束前没有适当退火而产生的过饱和空隙。其驱动力来自于铜互连体与介质之间的晶粒生长和热膨胀失配(CTE)所产生的应力。介绍了一种扩散模型，主要研究了宽金属引线连接的通孔的空洞机制。

位错在外延系统中很常见。对于外延生长在具有相干界面衬底上的薄膜，当其厚度大于某一临界值(即临界厚度)时，薄膜可能自发形成位错。位错的存在会对半导体材料的电性能产生不利影响，为掺杂剂提供了容易导致短路的扩散路径，或为重组中心提供了降低载流子密度的途径。位错的形成是失配应变松弛最常见的机制之一。然而，在光电应用中，应变会改变电子带隙和带边对齐，应该保持。因此，控制位错的形成在微电子和光电子器件的制造中具有十分重要的意义。

本学期论文将回顾一些基本概念，并试图对控制位错的形成产生一些理解。

如今，低k介电材料被集成到计算机芯片中，以提高运算速度和降低串扰噪声。由于低k介电材料力学性能较弱，容易发生内聚性破坏。通道破裂是粘性破坏的一种常见形式。本学期论文综述了与低k介电薄膜通道开裂相关的几个潜在问题。

对于高温沉积在基材上的薄膜或涂层，由于热膨胀系数的不匹配，往往会在表层产生残余压应力。在这种残余压应力作用下，表面薄膜容易发生屈曲驱动的分层。观察到各种形状的屈曲区域，包括长直边泡，圆形泡和“电话线”泡。

每个学生都要完成一篇学期论文，题目是:(a)解决薄膜材料中的一种现象，(b)涉及使用力学的分析。该项目占等级的25%，分布如下:

• 5%: 11月30日(星期四)。在iMechanica上发布你的标题和摘要，格式如下万博manbetx平台

1. 标题(EM 397学期论文:例如，外延薄膜中的位错)。
2. 标签(EM 397, 2006年秋季，德克萨斯大学奥斯汀分校，薄膜，学期论文)
3. 正文:(i)描述现象。(ii)解释机制的相关性。(iii)引用至少一篇期刊文章。

• 10%: 12月12日星期二(下午2:00-4:00)。30分钟的演讲。使用幻灯片。
• 10%: 12月18日星期一．
  

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