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双材料带材界面裂纹的t应力

所附文件是关于双材料带材界面裂纹的t应力。问题的几何形式与Suo和Hutchinson (1990, IJF)相同。利用守恒积分技术,导出了含两个数值因子的t应力计算公式。

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评论

L. Roy Xu的照片

亲爱的Jae-Hyun,

很好的纸。您的简化结果将对我们的断裂实验如DCB测试有价值。事实上,t应力研究仍然是一个开放的领域。我们关于t应力在裂纹扭转过程中的变化的论文将很快在美国机械工程师学会应用力学杂志上发表。由于双材料条中的界面裂纹倾向于弯曲到薄弱部分,因此t型重音是关键的(如He和Hutchinson在1989年所讨论的)。我们还有很多关于t重音的话题需要探索。

罗伊

亲爱的Luoyu,

谢谢你的评论。我很高兴听到你对t重音感兴趣。哈佛大学的Vlassak小组进行了几次断裂测试(DCB和四点弯曲)在夹在两个厚硅衬底之间的薄膜层上。薄膜是由有机硅玻璃(非常脆)制成的低k介电层。在4点弯曲试验中,在一些试样中观察到振荡裂纹(或波纹裂纹)。我们关于t应力的论文就是由这种观察得出的。我有一个讨论点:

在裂纹尖端应力场的特征函数展开中,t应力是一个非奇异项。对于无限均质固体或双材料固体,它应该是一个很好的裂纹稳定性参数。对于夹层薄层(500nm厚),t应力对裂纹稳定性的控制作用较弱,因为它是非信号项。夹心层中的裂缝根据其在夹心层中的位置,其应力状态会发生巨大变化(Fleck et al., 1991).我怀疑t型重音在这种情况下的作用。你对此有何评论?

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