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硅上氮化硅
2006-11-14 21:56 -张甄
在单晶硅衬底(001)表面生长一层SiN薄膜,然后形成条纹。薄膜中的残余应力可能导致位错从薄膜边缘的根部发出。见的帖子一种获得避免错位的条件的方法.
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在单晶硅衬底(001)表面生长一层SiN薄膜,然后形成条纹。薄膜中的残余应力可能导致位错从薄膜边缘的根部发出。见的帖子一种获得避免错位的条件的方法.
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