单个滑移系统上几何必要位错密度的测量

我们最近发表了一篇关于测量与单面心立方晶体的楔形压痕相关的几何必要位错(GND)密度的论文。变形场是二维的，存在三种有效的面内滑移系统，导致塑性滑移。我们以3微米的空间分辨率确定总GND密度的下界。我们还证明了在定义域的某些区域，总地地密度的下界对应于确切的总地地地密度。因此，在这些区域，我们可以确定总地地密度在各个滑移系统上的分配。除其他外，这可以直接了解由于楔形压痕而形成的位错结构的类型。

标题、摘要和网址如下:

杨建军，李建军，许文涛，许文涛，几何必要位错密度的实验下界，塑性学报，26，(10):917 - 923,2010。

摘要:采用楔形压头对镍晶体进行压痕处理，形成具有三种有效平面应变滑移体系的二维变形状态。利用定向成像显微镜(OIM)以3微米的空间分辨率测量了晶格的平面内晶格旋转。由晶格旋转场计算出奈位错密度张量的所有非零分量。导出了几何必要位错(GND)总密度下界的严密解析表达式。证明了下界的存在性和唯一性，并确定了总地地密度在各个有效滑移系统上的分配。在已知只有一个或两个有效滑移系统被激活的情况下，下界解简化为精确解。研究结果揭示了活动滑移系统以及由于楔压痕而在镍晶体中形成的位错结构。

http://dx.doi.org/10.1016/j.ijplas.2010.03.009