变形eclectronics

在可变形电子学的最新发展中，人们注意到金属薄膜经常在小的拉伸应变下破裂。本文报道了在聚合物基底上沉积Cu薄膜的实验，并表明金属薄膜的破裂应变对其与基底的粘附非常敏感。结合良好的Cu膜可以承受高达10%的应变而没有明显的裂纹，高达30%的应变而有不连续的微裂纹。相反，结合不良的Cu薄膜在应变约2%时形成沟道裂纹。裂纹是由应变局部化和晶间断裂混合形成的。