纳米电子学、微传感器和纳米传感器等新一代储能技术的发展,需要纳米级的电容器。高介电常数材料,如铁电体,是重要的候选材料。考虑以下内容:2.7 nm SrTiO3薄膜的预期电容为1600 fFmicro-m-2。现实中可能的价值是多少?258 fFmicrom-2 !这种电容的急剧下降归因于所谓的“死层”效应。
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