双波纹

硕士侯赛因和6月他（英特尔公司）

半导体制造学报，vol. 18, No. 1, p.69-85, 2005

在这项工作中，我们解释了金属化和层间介电(ILD)材料的选择如何影响先进互连的制造技术和可靠性。在130纳米技术节点上，铜作为首选金属取代铝合金，要求在集成、金属化和图案技术方面发生显著变化。这些变化直接影响到互连系统的可靠性性能。虽然通过从一个技术节点到另一个技术节点逐步使用更低介电常数(低k) ILD材料来进一步改善互连性能，但低k ILD固有的弱机械强度和加工过程中介电常数的潜在降低，对此类材料在大规模生产中的实施构成了严峻的挑战。我们将考虑两种ILD材料的情况;以碳掺杂二氧化硅(CDO)和低k自旋聚合物为例，说明ILD的选择对铜互连的工艺技术和可靠性的影响。预印pdf 2.49 MB