测量了封装在有机硅酸盐玻璃低介电常数介质中的大量铜线的电迁移寿命。使用三个测试变量:线长、电流密度和温度。如果上游通道附近的空洞增长到临界体积，阻塞电流，铜线就会失效。临界体积随线与线的不同而不同，这取决于线端设计和微观结构的变化。然而，临界体积(DCV)的统计分布预计与测试变量无关。相比之下，寿命(DLT)的分布强烈依赖于测试变量。对于一个生长大量体积的空洞，扩散过程平均在许多颗粒沿线。因此，空隙体积作为时间的函数，V（t)，对微观结构的偶然变化不敏感。为了简化，我们假设这个函数V（t)是确定的，并使用瞬态模型计算该函数。我们使用函数V（t)，将实验测得的DLT转换为DCV。在未经测试的条件下，同样的DCV可以预测DLT。
硕士侯赛因而且6月他（英特尔公司）
半导体学报，vol. 18, No. 1, p.69-85, 2005
在这项工作中，我们解释了先进互连的制造技术和可靠性是如何受到金属化和层间介电(ILD)材料选择的影响的。在130nm工艺节点上，铜取代了铝合金，这意味着集成、金属化和模式化技术发生了显著变化。这些变化直接影响了互连系统的可靠性性能。虽然通过从一个技术节点到另一个技术节点逐步使用更低介电常数(低k) ILD材料，互连性能正在进一步提高，但低k ILD固有的薄弱机械强度和加工过程中介电常数退化的可能性，对这种材料在大规模制造中的实现构成了严重挑战。我们将考虑两种ILD材料的情况;碳掺杂二氧化硅(CDO)和低k自旋聚合物，以说明ILD选择对铜互连工艺技术和可靠性的影响。预印pdf 2.49 MB
测量了封装在有机硅酸盐玻璃低介电常数介质中的大量铜线的电迁移寿命。使用三个测试变量:线长、电流密度和温度。如果上游通道附近的空洞增长到临界体积，阻塞电流，铜线就会失效。临界体积随线与线的不同而不同，这取决于线端设计和微观结构的变化。然而，临界体积(DCV)的统计分布预计与测试变量无关。相比之下，寿命(DLT)的分布强烈依赖于测试变量。对于一个生长大量体积的空洞，扩散过程平均在许多颗粒沿线。因此，空隙体积作为时间的函数，V（t)，对微观结构的偶然变化不敏感。为了简化，我们假设这个函数V（t)是确定的，并使用瞬态模型计算该函数。我们使用函数V（t)，将实验测得的DLT转换为DCV。在未经测试的条件下，同样的DCV可以预测DLT。
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