可拉伸电子器件中硅纳米线的三维屈曲控制

徐峰，陆伟，朱勇，无机化学学报，2011,5 (1)，pp 672-678。

ACS Nano的采访(第42集:2011年1月)，

http://pubs.acs.org/page/ancac3/audio/index.html

文摘:

采用可控屈曲工艺在弹性衬底上制备了硅纳米线线圈。Si NWs首先被转移到预应变和紫外线/臭氧(UVO)处理的聚二甲基硅氧烷(PDMS)衬底上，并在预应变释放时弯曲。发现了两种屈曲模态(面内波形模态和三维卷曲模态);通过控制PDMS的UVO处理，实现了两者之间的过渡。结构表征表明，NW线圈呈椭圆形。椭圆型NW线圈具有非常大的拉伸性，直至PDMS的失效应变(在我们的研究中为104%)。如此大的可拉伸性依赖于线圈形状在减轻最大局部应变方面的有效性，其机制类似于线圈弹簧的运动。在大应变范围内，基于卷绕NW的单个NW器件具有几乎恒定的电响应。除了波浪形状外，线圈形状代表了一种有效的结构，可以容纳大的张力，压缩，弯曲和扭转，这可能会在可拉伸电子和其他可拉伸技术中找到重要的应用。