我们最近在《计算材料科学》上发表的文章“位错-沉淀相互作用图”

摘要

本研究是第一次尝试系统地量化位错-沉淀交互根据施加的剪应力，沉淀阻力大，且需要时间达到临界状态位错-沉淀交互当一个位错线即将穿过沉淀。修改后的线路位错采用动力学方法对系统进行建模位错-沉淀交互。在目前的建模方法利用三个-维位错在动力学模拟中，获得了数千个数据点的Cu沉淀阻力，施加剪切应力，和沉淀间距。在模拟的基础上找到了一个通用方程来量化位错-沉淀施加剪应力的相互作用，沉淀阻力标度，和位错-沉淀交互时间。的位错-沉淀交互时间与沉淀阻力和压力，被称为位错-沉淀交互地图，决定了“通过”或“不通过”-“通过”的状态交互。使用这个地图，我们将位错-沉淀交互二秒一秒-维位错动力学方法(DD)与有限元方法(FEM)相结合。这个框架，FEM-，应用于模拟自由体的力学行为-立铜薄膜。仿真结果表明了该方法的双重效果位错-沉淀交互时间在强化行为上。

https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2015.03.032