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三维集成中硅通孔周围的微拉曼光谱及近表面应力分析
星期二,2012-06-05 00:29 -鲁伊·黄
研究。刘琪,赵琪,M. Hecker,孙海英,边阔英,林俊,何p.s.,黄仁杰,三维互连中硅孔周围硅的微拉曼光谱及近表面应力分析.j:。物理学报,11(6):635 - 635(2012)。
摘要:通过硅通孔(tsv)的三维集成已经成为克服器件密度和性能布线限制的有效解决方案。然而,热应力在TSV结构中引起了严重的热机械可靠性问题。本文采用半解析法和有限元法对TSV结构的近表面应力分布进行了分析,并与微拉曼测量结果进行了比较。特别说明了应力分布的深度依赖性和硅的弹性各向异性的影响,以正确地解释拉曼数据。讨论了表面氧化层和通孔材料的金属塑性对应力和拉曼测量的影响。模拟和拉曼测量揭示的近表面应力特征对TSV结构设计和器件集成具有重要意义
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