在倒装封装中，由于硅晶片与封装基板之间的热膨胀系数不匹配，在组装、测试和服务过程中，硅晶片的边缘和角落会产生集中的应力场。集中的应力导致结构在不同长度尺度(从几十纳米到几百微米)上的许多界面上发生分层。对倒装芯片封装进行建模的一个主要挑战是长度尺度的巨大变化、微结构的复杂性和材料特性的多样性。在本文中，我们将结构简化为具有楔形结构的硅/衬底结构，而忽略了集成电路的小局部特征。只要感兴趣的物理过程发生在芯片封装相互作用导致的集中应力场占主导地位的区域，这种封装层面的宏观分析对于任何小的局部特征都是通用的。因为正是同样的驱动力导致了所有的缺陷。因此，不同界面上的相同尺寸、相同取向的不同界面裂纹，只要裂纹远小于宏观长度，应具有相似的能量释放率。基于渐近线弹性应力场，计算了芯片封装界面裂纹的能量释放率和模态角。在较大的裂纹长度范围内，渐近解与有限元计算结果吻合较好。并结合实际应用讨论了简化后的模型和结果。此外，我们发现的关系能量释放率G和裂纹长度一个不是幂律吗局部模混合是否与裂缝长度有关一个。因此，的曲线G ~可以是波浪状的即使裂纹长度不大，也很难趋近于零一个变成原子大小。局部模态混合在裂纹行为中起着重要作用。
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