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一种新型规划BCN横向异质结构,具有优异的强度和缺陷介导的优异的半导体和导电性能

受最近合成的具有不同原子组成的硼碳氮化硼(BCN)单层材料的启发,我们提出了一种新的平面BCN横向异质结构,它是石墨烯和六方氮化硼(h-BN)对偶物的组合。结合密度泛函理论(DFT)和经典分子动力学(CMD)模拟,研究了缺陷(空位和Stone-Wales (SW)缺陷)和温度对BCN异质结构物理性质的影响。

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