一种新型规划BCN横向异质结构，具有优异的强度和缺陷介导的优异的半导体和导电性能

受最近合成的具有不同原子组成的硼碳氮化硼(BCN)单层材料的启发，我们提出了一种新的平面BCN横向异质结构，它是石墨烯和六方氮化硼(h-BN)对偶物的组合。结合密度泛函理论(DFT)和经典分子动力学(CMD)模拟，研究了缺陷(空位和Stone-Wales (SW)缺陷)和温度对BCN异质结构物理性质的影响。我们发现，具有SW缺陷的结构具有最低的缺陷形成能(4.10 eV)，而具有空位缺陷的结构具有最高的缺陷形成能(7.32 eV)。DFT结果表明，原始和缺陷BCN的计算力学性能与石墨烯的力学性能互补，CMD结果表明尺寸对力学性能的影响不显著。DFT计算还显示，原始的和SW缺陷填充的BCN保留了直接的半导体电子特性，而C和B单空位有趣地使其成为金属材料，因为在费米能级上有轻微的能带重叠，并且N单空位显示出很小的间接带隙(0.08 eV)。此外，由于晶格重排，缺陷的存在显著改变了BCN的功函数。在此，我们认为BCN异质结构的缺陷介导设计可以为包括能量转换和存储以及高速光学和电子器件在内的合理应用开辟新的机会，因为它们具有半导体金属功能和优越的机械性能。

S.托马斯和M. Asle Zaeem。一种新型规划BCN横向异质结构，具有优异的强度和缺陷介导的优异的半导体和导电性能．物理化学(2020)。

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/cp/d0cp02973d/unauth..。