等离子体增强化学气相沉积氧化硅薄膜的尺寸依赖性蠕变行为

研究了沉积态和退火等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氧化硅(SiO)的时效塑性变形(蠕变)行为x)薄膜在室温下通过纳米压痕载荷松弛试验进行探测。我们的实验发现，在沉积的PECVD SiO的蠕变响应中存在很强的尺寸效应x在快速热退火(RTA)后，薄膜的厚度大大降低。基于实验结果，采用基于“剪切转变区”(STZ)的非晶塑性理论来描述变形机理。阐明了STZ的物理成因，并将其与剪切带化动力学联系起来。推测浅压痕深度处的高应变梯度可能是应力指数减小的原因n =∂log(应变率)/∂log(应力)，具有更均匀的流动特性。