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低k通道破裂的模式效应
低介电常数(Low -k)的实现通常是以降低机械性能为代价的，这使得在线路后端(BEOL)集成介电常数和封装低介电常数芯片变得困难。低k技术的开发成本高且耗时。因此，人们比以前更频繁地求助于建模来理解机械问题和避免故障。在本文中，我们提出了三种多层图案化薄膜模型来研究低k BEOL中的通道开裂。研究了铜的特性、帽和多层互连的影响，并讨论了它们对BEOL制造的影响。
低k BEOL力学建模
刘，小胡;莱恩，迈克尔·W;托马斯·肖;埃里克·利尼格;罗伯特·R·罗森博格;丹尼尔·埃德尔斯坦
2004年先进金属化会议(AMC 2004);加州圣地亚哥和东京;美国和日本;2004年10月19-21日及9月28-29日。361 - 367页。2005
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评论
渠道裂缝:来自德州仪器、英特尔和IBM的报告
现在，i万博manbetx平台Mechanica有几家公司关于低k介质中通道裂缝的论文:IBM(这篇文章)，英特尔,“透明国际”．看到力学研究如何在工业中找到创造性的应用是很有趣的。
我第一次从Budiansky那里了解到这种裂纹的机理，并将其应用于层状复合材料的开裂。我不知道复合材料中的这种裂缝已经有了一个名字:它们被称为横向裂缝。相反，我称之为隧道裂缝。人们喜欢这个名字。我甚至称薄膜中的裂缝为隧道裂缝。约翰·哈钦森纠正了我的用法:在薄膜中横向扩展的裂缝应该被称为通道裂缝。
Jack Beuth于90年代初在John Hutchinson的指导下首次对河道裂缝进行了全面分析，这是他论文的一部分。也许是吧青马在英特尔公司，在90年代末首次将这一概念应用于微电子工业的薄膜。以上三篇论文引用了这些文献和其他文献。