从第一原理看原子单层中的弯曲电

摘要

我们用54个选定的原子单层研究了弯曲电效应从头开始密度泛函理论(DFT)。具体来说，考虑到III组单硫属化合物、过渡金属双硫属化合物(TMDs)、IV组、III - V和V组单分子层、IV组双硫属化合物、IV组单硫属化合物、过渡金属三硫属化合物(TMTs)和V组硫属化合物的代表材料，我们进行了对称自适应DFT模拟，以计算在实际相关弯曲曲率处沿主方向的横向弯曲电系数。我们发现材料表现出线性行为，并且在两个主要方向上具有相似的系数，tmt的值比石墨烯的值大5倍。此外，我们还发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随单层厚度、沿弯曲方向的弹性模量以及组成原子的极化率和的增加而增加。

https://doi.org/10.1039/D0NR07803D