图案化单晶硅纳米线的制备与表征

李波，康明光，陆坤，黄锐，何培生，R. A. Allen, M. W. Cresswell，纳米通讯8,92 -98(2008)。（网站发布日期:2007年12月07日;DOI:10.1021 / nl072144i）

本文展示了一种制备单晶硅纳米线的方法，其横截面为矩形，侧壁为原子平面。这些纳米线的高质量导致了优异的力学性能，通过纳米压痕测试测量的断裂应变超过了74 nm宽度的8.5%。在断裂前观察到一个较大的位移爆破，这归因于屈曲机制。数值模拟结果表明，临界屈曲载荷取决于接触面摩擦力。