通过比较EAM电位来模拟Ni中两个对称倾斜晶界上顺序混合位错的滑移传递

http://dx.doi.org/10.1007/s11837-017-2302-1

摘要

在多晶面心立方(FCC)金属的塑性变形中，晶界上顺序堆积位错的滑移传递起着重要的作用。在这项工作中，进行了大规模并发原子连续体(CAC)方法模拟，以解决FCC Ni中混合字符位错在gb之间的滑移传递。利用嵌入原子法(EAM)原子间势的五种不同拟合，研究了两个对称倾斜GB，一个Σ3{111}相干孪晶界(CTB)和一个Σ11{113}对称倾斜GB (STGB)，以评估预测的位错界面反应的可变性。结果表明，对于Σ3 CTB，其中两个电位预测位错传递，另外三个预测位错吸收。相比之下，EAM电位的所有五种拟合都预测位错被Σ11 STGB吸收。根据文献中的几种滑移传递准则对模拟结果进行了检验，突出了位错/GB相互作用的复杂性以及滑移传递过程多尺度建模的重要性。