部分混乱

众所周知，FCC金属中的位错是由层错分离的部分位错组成的。当考虑位错相互之间的反应时，例如在DD模拟中，有必要确定偏位的相对位置，以便正确描述反应中产生的构型。这里我们描述了一种正确确定偏导数相对位置的几何方法。我们得到的结果也可以通过应用Hirth和Lothe在书中给出的公理或规则得到。在本教程的最后，我们将