由于热应变和电迁移，互连线路中的饱和空隙

张甄而且锁志刚(哈佛大学),6月他(英特尔)

附件是2006年11月10日ASME大会上的一组幻灯片。热应变和电迁移会导致半导体芯片导体线中空洞的增长。这种长期存在的失效模式因最近引入的低介电常数介质而加剧。我们描述了一种计算饱和空隙体积(VSV)的方法，当导体线上的每个点都处于静水压力状态时，达到稳态，并且沿导体线上的压力梯度平衡电子风。结果表明，随介电热膨胀系数的增大，VSV增大;随介电弹性模量的减小，VSV增大。当使用多孔介质和超薄衬垫时，VSV也会增加。在操作条件下，热应变和电迁移对VSV都有重要贡献。我们在互连设计的背景下讨论这些结果。

应用物理学报98,074501 (2005)．