一种通用的Moiré-templated纳米尺度形态工程方法

朱淑泽和哈利·t·约翰逊

纳米尺度，2018年出版，https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2018/nr/c8nr06269b

充分利用过渡金属二卤族化合物及其vdW的电子特性层状结构中，需要对局部电子结构进行控制，晶格变形对局部电子结构的影响是显著的。然而，在TMD材料中编程纳米尺度形态(允许局部应变工程)的一般方法已被证明是难以捉摸的。在这项工作中，我们提出了一种基于双分子层tmd的通用moiré-templated纳米尺度形态工程方法。moiré超晶格在局部层间距和势能的平面内周期性变化中起着关键作用。在整体面内压缩作用下，高能、大层间分离的堆积域是周期性屈曲起始点。因此，弯曲的特征可以精确地与moiré周期性相关。屈曲形态和应变场的空间剖面可以预先确定，为电子学和光电子学设计提供了桥梁。我们采用双分子层MoS2来演示我们的方法。我们进一步演示了形貌如何调节MoS2单分子层的带隙和光学吸收，设想为Moiré-templated，应变工程vdW异质结构的tmd的潜在组成层。我们的方法的鲁棒性和可编程性源于超晶格对称性、能量学和力学。 Our approach provides a new strategy for on-demand design of morphology and local strain in TMDs under mechanical deformation.