一维纳米结构的三维视图

单个氮化镓纳米线在3D中表现出强压电性

半导体氮化镓是下一代纳米和光电子系统中很有前途的器件。除了直接带隙外，它们还表现出压电性，这使得它们在自供电设备的能量收集应用中特别有吸引力。纳米线通常被认为是一维纳米结构;然而，机电耦合导致了一个三级张量，对于纤锌矿晶体(GaN NWs)具有三个独立的系数，d33, d13和d15。因此，单个GaN NWs的完整压电表征需要在不同方向施加电场，并测量数皮米量级的相关位移。在这封信中，我们提出了一种基于扫描探针显微镜的实验方法直接量化单个GaN NWs的三维压电响应。实验结果表明，GaN NWs在三维空间表现出较强的压电性，其体积效应高达6倍。基于有限元建模，这一发现对能量收集系统的设计具有重大意义，显示出前所未有的功率密度生产水平。该方法适用于其它NW压电材料以及沿不同晶体取向制造的线材。

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl204043y

http://www.physorg.com/news/2012-01-d-view-nanostructures.html