铁磁形状记忆合金中的畴壁-孪晶界解离

本文提出了一种连续介质理论来模拟铁磁形状记忆合金的行为。该理论是一个相场理论，包含两个内在的材料长度尺度与磁畴壁和马氏体孪晶界的厚度相关。该理论用于研究在这些材料中观察到的低阻塞应力。假定低阻塞应力的机制是磁畴壁与其马氏体孪晶界面的“解离”，即强磁场使磁畴壁向一个方向运动，强剪应力使马氏体孪晶界向相反方向运动。