过渡金属二卤族化物纳米管扭转应变工程:从头算研究

摘要

研究了扭转变形对单壁过渡金属二卤族化物电子性质的影响（战区导弹防御系统）纳米管。特别是考虑到四十fi我们选择扶手椅和之字形TMD纳米管，我们执行对称适应的Kohn- - - - - -伪密度泛函理论计算以确定电荷载流子带隙和有效质量随扭转的变化。我们fi金属纳米管在变形后仍然保持这种状态，而半导体纳米管在扭曲后带隙会减小- - - - - -原来的直接带隙变成了间接带隙- - - - - -导致半导体向金属转变。此外，空穴的有效质量和电子的有效质量分别随着扭转而不断减小和增大，导致n型到p型半导体跃迁。我们fiNd认为，这种行为可能是由于金属和硫原子轨道的再杂化，而不是它们之间的电荷转移。总的来说，扭转变形是设计半导体TMD纳米管电子特性的有力途径，可应用于传感器和半导体开关等设备。

https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac1a90