边缘掺杂氮化硼纳米带中应变诱导可编程半金属和自旋无间隙半导体

朱淑泽*，李腾*，应变诱导可编程半金属和spin-gapless边掺杂氮化硼纳米带中的半导体，物理学报，33 (4):481 - 481 (2016)

在自旋电子学的材料设计中，寻找半金属和无自旋间隙半导体引起了广泛的关注。这种研究的现有进展通常需要特殊的原子晶格结构，并且也缺乏对所得到的电子性质的主动控制。本研究揭示了一种边缘掺杂碳的氮化硼纳米带可以以可编程的方式制成半金属或无自旋间隙半导体。机械应变作为半金属和无自旋间隙半导体功能的开/关开关。我们的发现揭示了边缘掺杂与应变工程相结合如何影响二维材料的电子性能。